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AO5804E中文资料

  • 大小:2.06KB
  • 厂家:万和兴
  • 描述:
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:500mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:550 毫欧 @ 500mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:1nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:45pF @ 10V
  • 功率 - 最大:280mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-89-6,SOT-666
  • 供应商设备封装:SC-89-6
  • 包装:带卷 (TR)

AO5804E供应商

更新时间:2023-01-02 02:08:21
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